Datasheet下载- 型号： PUMF11,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMF11,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMF11,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMF11,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMF11,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMF11,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMF11,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个独立的 NPN 晶体管，每个均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑接口电平转换与驱动：常用于微控制器（如MCU、GPIO）与继电器、LED、小功率MOSFET或光耦之间的信号缓冲与电流放大，简化电路设计，提升响应速度与可靠性。 - 工业控制与传感器信号调理：适用于PLC输入模块、位置开关检测、编码器信号整形等场合，利用其高输入阻抗与稳定开关特性，实现抗干扰的数字信号切换。 - 消费电子待机/唤醒电路：在电视、机顶盒、IoT设备中用于低功耗状态下的按键检测、红外接收信号放大或电源使能控制，支持3.3V/5V系统兼容。 - 汽车电子辅助电路：满足AEC-Q100 Grade 3（–40°C 至 +85°C）要求，可用于车身控制模块（BCM）中的车灯控制、风扇驱动、CAN/LIN总线接口保护等非安全关键应用。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，节省PCB空间；具备ESD防护（HBM >2kV）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1V @ IC=10mA）及快速开关特性（ton/toff < 5ns），兼顾效率与集成度。不适用于大电流（ICmax=100mA）或高压（VCEO=50V）主功率驱动场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMF11,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 200mV @ 5mA， 50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V / 120 @ 1mA，6V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934057051115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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