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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB30,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB30,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMB30,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMB30,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMB30,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PEMB30,315 是一款预偏置双极性晶体管阵列(BJT 阵列),集成了内置偏置电阻的 NPN 晶体管,适用于需要简化电路设计和节省 PCB 空间的中低功率开关与信号处理应用。该器件常用于消费电子、工业控制和通信设备中。 典型应用场景包括:逻辑信号电平转换、LED 驱动电路、小型继电器或负载的开关控制、音频信号放大及数字缓冲器等。由于其内置偏置电阻,可直接通过逻辑电平(如微控制器输出)驱动,无需外接基极电阻,从而减少元件数量、提高可靠性并缩小整体尺寸。 PEMB30,315 也广泛应用于便携式设备和嵌入式系统中,例如智能手机、平板电脑、智能家居模块和传感器接口电路,适合对空间和功耗敏感的设计。其稳定的电气性能和高集成度使其在自动化控制板、电源管理模块和接口电路中表现出色。 此外,该器件具备良好的温度稳定性和抗干扰能力,适用于较为严苛的电磁环境。总体而言,PEMB30,315 凭借其紧凑封装、易用性和高可靠性,是现代电子设计中实现高效、小型化信号开关与驱动的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PEMB30,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 20mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934059927315 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |