Datasheet下载- 型号： NSBC115TPDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC115TPDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC115TPDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC115TPDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC115TPDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC115TPDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBC115TPDP6T5G 的晶体管属于 ON Semiconductor（安森美半导体）旗下的 预偏置双极结型晶体管阵列（BJT Array）。其主要应用场景包括： 该器件集成了多个预偏置BJT晶体管，适用于需要逻辑电平转换、开关控制和小型信号放大的电路中，常见于消费类电子产品、工业控制、汽车电子和便携式设备中。由于其内置偏置电阻，简化了外围电路设计，提高了系统稳定性与可靠性，特别适合数字电路驱动模拟负载的应用，如LED驱动、继电器控制、传感器信号调理等。此外，该器件具备较好的温度稳定性和较低的功耗，适合在中低功率开关应用中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC115TPDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 339mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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