Datasheet下载- 型号： NSVMUN5137DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMUN5137DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMUN5137DW1T1G价格参考。ON SemiconductorNSVMUN5137DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMUN5137DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMUN5137DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMUN5137DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个带内置偏置电阻的NPN型BJT。该器件采用SOT-26W小型化封装，具有高集成度和简化电路设计的优点。 其主要应用场景包括： 1. 消费类电子产品：广泛用于手机、平板、智能家居设备中的信号切换与逻辑控制电路，因其体积小、外围元件少，有助于节省PCB空间。 2. 电源管理与开关控制：适用于LED驱动、DC-DC转换器的使能控制、负载开关等场景，通过预设偏置电阻实现快速开关动作，提升系统响应速度。 3. 工业与汽车电子：在车载信息娱乐系统、传感器接口、继电器驱动等应用中提供稳定可靠的信号放大与电平转换功能；其符合AEC-Q101车规认证，适合汽车环境使用。 4. 便携式设备：由于功耗低、响应快，常用于电池供电设备中的低功耗开关电路，延长续航时间。 该器件的优势在于无需外部偏置电阻，降低了元件数量和组装成本，同时提高了电路可靠性。其典型应用电路包括电平移位、脉冲信号放大和数字信号驱动等。NSVMUN5137DW1T1G凭借高可靠性、小尺寸和车规级性能，成为现代电子系统中理想的晶体管阵列解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 50V SC88 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVMUN5137DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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