Datasheet下载- 型号： NSBC144WDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC144WDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC144WDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC144WDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC144WDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC144WDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC144WDXV6T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，采用SOT-23封装。该器件集成了一个NPN晶体管及两个片上电阻（通常为基极和发射极电阻），简化了电路设计，提高了可靠性。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于体积小、功耗低，广泛用于手机、平板、可穿戴设备中的信号开关与电平转换电路。 2. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑系统之间（如3.3V与5V系统）实现信号接口匹配，利用其内置电阻减少外围元件数量。 3. 驱动电路：用于驱动LED、小型继电器或蜂鸣器等负载，特别适用于空间受限的消费类电子产品。 4. 开关应用：作为高速开关使用，适用于电源管理、电池供电设备中的通断控制。 5. 噪声抑制与信号整形：配合其他元件实现波形整形或噪声滤除，提升数字系统的稳定性。 NSBC144WDXV6T1G因集成度高、响应速度快、一致性好，被广泛应用于消费电子、工业控制、通信模块和汽车电子中的小信号处理场景。其“绿色”环保特性（符合RoHS标准）也使其适用于对环保要求较高的产品设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSBC144WDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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