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Datasheet下载- 型号： PUMH16,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PUMH16,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH16,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH16,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMH16,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMH16,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMH16,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMH16,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，各集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），支持直接逻辑电平驱动，无需外置偏置电阻。其主要应用场景包括： - 数字开关与电平转换：广泛用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）I/O口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或信号隔离，简化PCB设计并提升可靠性； - 接口缓冲/驱动电路：在通信模块（如UART、I²C扩展）、传感器接口中用作电流放大与信号整形； - 消费电子与家电控制：适用于智能插座、遥控接收板、LED背光驱动、电机启停控制等低功耗、小电流（IC ≤ 100mA）场合； - 工业IoT节点：作为PLC输入信号调理、光电耦合器前端驱动或状态指示电路，具备良好ESD防护（HBM ±4kV）及宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C）； - 替代传统分立偏置方案：节省2–3个外围电阻，缩小占位面积（SOT-363封装），提高生产良率与一致性。 该器件不适用于大功率放大或高频射频应用，典型开关频率<100MHz，推荐工作电压≤50V，集电极电流建议≤100mA（连续）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH16,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMH16,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-11283-2 |
| 典型电阻器比率 | 0.47 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMH16 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
