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PUMH16,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH16,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH16,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMH16,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMH16,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMH16,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为PUMH16,115、品牌为Nexperia USA Inc.的晶体管属于预偏置双极性晶体管(BJT)阵列器件,广泛应用于需要高效、稳定信号处理和功率控制的电子电路中。该器件将多个BJT晶体管集成在一个封装内,并内置偏置电路,简化了外围设计,提高了系统稳定性。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或电池管理系统中,实现高效的功率控制与分配。 2. 工业自动化控制:作为驱动器或开关元件,用于PLC、继电器驱动、传感器接口等工业控制系统中。 3. 汽车电子系统:如车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等,得益于其高可靠性和集成度,适合在复杂电磁环境和高温条件下工作。 4. 消费类电子产品:用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中的电源切换、马达驱动或音频放大电路。 5. 通信设备:在基站、路由器或交换机中用于信号调节、接口驱动及低噪声放大应用。 总之,PUMH16,115凭借其集成化设计、节省空间的优势和良好的电气性能,适用于对效率、稳定性和集成度有较高要求的各类电子系统。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH16,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PUMH16,115 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
其它名称 | 568-11283-2 |
典型电阻器比率 | 0.47 |
典型输入电阻器 | 22 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PUMH16 T/R |
频率-跃迁 | - |