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产品简介:
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NSBC144EDXV6T5G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置电阻,采用SOT-23封装。该器件集成了一个NPN晶体管及两个片上电阻(通常为基极和发射极电阻),简化了外围电路设计,提高了系统可靠性。 主要应用场景包括: 1. 开关电路:适用于低功率开关应用,如LED驱动、继电器控制、电源管理开关等,其内置电阻可省去外部偏置元件,减小PCB面积。 2. 逻辑电平转换:在数字电路中用于不同电压逻辑信号之间的转换,例如将3.3V信号转换为5V信号,广泛应用于微控制器接口电路。 3. 信号放大与缓冲:可用于小信号放大或作为缓冲级,适用于传感器信号调理、音频前置放大等场合。 4. 消费类电子产品:常见于手机、平板、智能家居设备中的电源控制、按键检测、状态指示等模块。 5. 工业控制与汽车电子:因其高可靠性与稳定性,也适用于汽车照明控制、ECU模块、电机驱动接口等环境较严苛的场景。 NSBC144EDXV6T5G具有高增益、快速开关响应和良好的温度稳定性,且符合RoHS环保标准,适合自动化贴装,广泛用于高密度、小型化电子产品中。其预偏置设计显著降低设计复杂度,提升生产一致性,是替代传统分立晶体管+电阻组合的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC144EDXV6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC144EDXV6T5GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |