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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD3,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD3,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMD3,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMD3,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMD3,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMD3,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个独立的 NPN 晶体管,每个均集成基极-发射极电阻(R₁)和基极-集电极反馈电阻(R₂),实现免外部偏置设计。其典型应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:用于微控制器(如ARM、PIC)I/O口与5V/3.3V外设间的信号缓冲与电平适配,简化电路并提升响应速度; 2. LED驱动与指示灯控制:凭借低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA)和内置限流电阻,可直接驱动中小电流LED(≤100mA),节省PCB空间; 3. 开关电源中的辅助控制电路:在DC-DC转换器中用作使能(EN)信号调理、过压保护触发或反馈路径中的高速开关; 4. 工业传感器信号调理:配合霍尔传感器、光电开关等数字输出型传感器,实现抗干扰增强、信号整形及负载隔离; 5. 消费电子待机电源管理:在TV、机顶盒等设备中用于低功耗唤醒电路、按键检测或状态指示,支持高输入阻抗与快速关断特性。 该器件采用SOT-666封装,体积小、热性能优,符合AEC-Q100(部分版本),亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统。其预偏置结构显著减少外围元件数,提高可靠性并缩短开发周期。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TransDigital BJT NPN PNP 50V 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMD3,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMD3,315 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056771315 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SS-Mini-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |