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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD3,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD3,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMD3,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMD3,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMD3,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PEMD3,315 是一款预偏置双极性晶体管阵列(BJT阵列),内部集成了两个带有内置偏置电阻的NPN晶体管。该器件采用SOT-26封装,具有小型化、高可靠性和简化电路设计的优点。 PEMD3,315 主要应用于需要空间紧凑和高集成度的电子电路中。典型应用场景包括:便携式消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中的信号切换与逻辑控制;各类小型电子设备中的LED驱动与开关控制;电源管理电路中的电平转换与接口驱动;以及工业控制模块、传感器信号调理电路中的低功率放大与开关功能。 由于其内置偏置电阻,PEMD3,315 可显著减少外围元件数量,降低PCB面积,提升生产效率,特别适用于高度集成的现代电子产品设计。此外,该器件具备良好的温度稳定性和电气性能,适合在宽温环境下稳定工作,广泛用于汽车电子(非动力系统)、通信设备和家用电器等对可靠性要求较高的领域。 综上,PEMD3,315 凭借其集成化设计和优良性能,是现代电子系统中理想的开关与信号控制解决方案之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TransDigital BJT NPN PNP 50V 200mW |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMD3,315- |
数据手册 | |
产品型号 | PEMD3,315 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-666 |
其它名称 | 934056771315 |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 10 V |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SS-Mini-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
频率-跃迁 | - |