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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMD10AMT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMD10AMT1G价格参考。ON SemiconductorIMD10AMT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IMD10AMT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMD10AMT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的IMD10AMT1G是一款预偏置双极性晶体管阵列,内部集成了两个PNP型BJT晶体管,并内置偏置电阻,简化了外围电路设计。该器件常用于需要电平转换、信号放大或开关控制的低功耗应用场合。 典型应用场景包括:便携式电子设备中的LED驱动电路,用于控制背光或状态指示灯;消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、智能家居设备)中的逻辑信号切换与接口电平匹配;工业控制模块中作为小型继电器或传感器信号的缓冲与驱动单元;还可用于电源管理电路中的开启/关断控制。 由于其内置偏置电阻,无需外接基极电阻,有效减小PCB面积,提高系统可靠性,特别适合高密度贴装的便携设备。此外,该器件采用小型SOT-23封装,具备良好的热稳定性和快速开关响应特性,适用于高频开关和低噪声环境。 总体而言,IMD10AMT1G凭借其集成化设计、高可靠性和紧凑封装,广泛应用于对空间和功耗敏感的消费电子、通信设备及工业控制系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SC74R开关晶体管 - 偏压电阻器 SURF MT BIASED RES XSTR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor IMD10AMT1G- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IMD10AMT1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V / 68 @ 100mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-74 |
| 典型输入电阻器 | 130 Ohms |
| 功率-最大值 | 285mW |
| 功率耗散 | 285 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74R |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 13k, 130 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 68 mA |
| 系列 | IMD10A |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 500 mA |
| 频率-跃迁 | - |