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NSBC114EPDXV6T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114EPDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114EPDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC114EPDXV6T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563。您可以下载NSBC114EPDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC114EPDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBC114EPDXV6T1G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产,属于 预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列。该器件集成了一个或多个BJT晶体管,并内置偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。 主要应用场景包括: 1. 数字开关电路:适用于需要高速开关控制的场合,如逻辑控制、继电器驱动、LED驱动等。 2. 接口电路:用于数字系统与模拟系统之间的信号转换与放大,如微控制器与高功率设备之间的接口。 3. 电源管理电路:可用于电源开关、负载切换和电流控制等应用。 4. 工业自动化设备:如PLC模块、传感器接口和继电器控制电路。 5. 消费类电子产品:如家用电器、智能开关和小型电机控制。 该器件采用小型封装(如DFN),适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于中低功率应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC114EPDXV6T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSBC114EPDXV6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC114EPDXV6T1GOSDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 357 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 |
| 系列 | NSBC114EPDXV6 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |