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  • 型号: NSBC114EPDXV6T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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NSBC114EPDXV6T1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114EPDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114EPDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC114EPDXV6T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563。您可以下载NSBC114EPDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC114EPDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC114EPDXV6T1G-

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产品型号

NSBC114EPDXV6T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

35 @ 5mA,10V

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-563

其它名称

NSBC114EPDXV6T1GOSDKR

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

500mW

功率耗散

357 mW

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-563-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

4000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

35

系列

NSBC114EPDXV6

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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