Datasheet下载- 型号： SMUN5214DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5214DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5214DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5214DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN5214DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5214DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5214DW1T1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极性晶体管 (BJT) 阵列，属于预偏置类型。这类器件通常用于需要高性能、低噪声和高增益的电路设计中。以下是其可能的应用场景： 1. 音频放大器 - SMUN5214DW1T1G 的高增益和低噪声特性使其非常适合用于音频信号放大电路。例如，在耳机放大器、音响设备或麦克风前置放大器中，可以提供高质量的音频信号处理。 2. 射频 (RF) 和无线通信 - 在射频应用中，该器件可用于低噪声放大器 (LNA) 或功率放大器的前端。它能够增强弱信号的强度，同时保持较低的噪声水平，适用于无线通信模块、蓝牙设备或物联网 (IoT) 设备。 3. 传感器信号调理 - 该 BJT 阵列可用于对微弱的传感器信号进行放大和处理。例如，在温度传感器、压力传感器或光电二极管的信号调理电路中，可以提高信号的质量和精度。 4. 工业控制 - 在工业自动化系统中，SMUN5214DW1T1G 可用于驱动继电器、小型电机或其他负载。其预偏置特性简化了电路设计，提高了系统的稳定性和可靠性。 5. 电源管理 - 该器件可应用于线性稳压器或开关电源中的误差放大器部分，以实现精确的电压调节。此外，它还可以用于过流保护或限流电路中。 6. 医疗电子 - 在医疗设备中，如心电图 (ECG) 机或超声波设备，该晶体管阵列可用于放大生物电信号，确保信号的准确性和稳定性。 7. 测试与测量 - 在示波器、信号发生器或其他测试设备中，SMUN5214DW1T1G 可用于信号放大和处理，以满足高精度要求。 总结 SMUN5214DW1T1G 的主要应用场景包括音频放大、射频通信、传感器信号调理、工业控制、电源管理、医疗电子和测试测量等领域。其预偏置设计和优异的电气性能使其成为许多精密电子电路的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor SMUN5214DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMUN5214DW1T1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 187mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 系列 | MUN5214DW1 |
| 频率-跃迁 | - |
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