Datasheet下载- 型号： NSBA123EDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA123EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA123EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBA123EDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA123EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA123EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBA123EDXV6T1G是一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个NPN晶体管，并内置基极-发射极电阻，简化电路设计。该器件采用SOT-563（SC-88）小型封装，适合高密度贴装。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于其小尺寸和低功耗特性，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与电平转换。 2. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑系统（如1.8V与3.3V或5V之间）中实现高效电平转换，常用于微控制器接口电路。 3. LED驱动与指示灯控制：适用于低电流LED的开关控制，如背光调节、状态指示灯等。 4. 开关电路：作为固态继电器替代方案，用于小功率负载的通断控制，如传感器模块、通信设备中的信号路由。 5. 噪声抑制与信号整形：利用内置电阻优化开关特性，减少外部元件数量，提升系统可靠性。 NSBA123EDXV6T1G具备良好的温度稳定性与高可靠性，符合RoHS环保要求，适用于消费电子、工业控制及汽车电子中的非动力系统辅助电路。其预偏置设计显著降低设计复杂度，提高生产一致性，是空间受限应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA123EDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA123EDXV6T1GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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