Datasheet下载- 型号： NSBC143EDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC143EDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC143EDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC143EDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC143EDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC143EDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC143EDP6T5G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，采用SOT-563封装。该器件集成了两个带有内置基极和发射极电阻的NPN晶体管，简化了电路设计并减少了外部元件数量。 该型号主要适用于需要小型化、高可靠性和低功耗控制的场景。典型应用包括：便携式电子设备中的信号切换与逻辑驱动，如智能手机、平板电脑中的LED背光控制或电源管理；消费类电子产品中的接口电平转换、继电器或蜂鸣器驱动；以及各类中低速开关电路，如传感器信号调理、微控制器输出扩展等。 由于内置偏置电阻，NSBC143EDP6T5G可直接通过数字信号驱动，无需额外配置基极电阻，提高了电路稳定性并节省PCB空间，特别适合高密度贴装的现代电子产品。同时，其良好的温度稳定性和快速开关特性，也使其广泛应用于工业控制模块、家用电器控制板和通信设备中的小信号放大与开关功能。 综上，NSBC143EDP6T5G凭借其集成化设计、高可靠性与紧凑封装，广泛用于消费电子、工业控制和便携设备中的信号控制与驱动应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC143EDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 339mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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