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产品简介:
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NSB1706DMW5T1 是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管阵列,内置电阻,采用双通道配置。该器件广泛应用于需要小型化、高可靠性和简化电路设计的场景。 典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,用于LED驱动、信号切换或逻辑电平转换,因其集成内置电阻,可减少外围元件数量,节省PCB空间。 2. 消费类电子产品:在家电控制板、遥控器、小型电源管理模块中,作为开关元件使用,实现高效、稳定的通断控制。 3. 工业控制与通信设备:用于传感器信号调理、继电器驱动或低功率放大电路,提供可靠的信号放大与开关功能。 4. 汽车电子:适用于车身电子系统,如车灯控制、按钮输入检测等非动力系统中的低电流开关应用,具备良好的温度稳定性和抗干扰能力。 NSB1706DMW5T1采用SOT-563封装,体积小,适合高密度贴装,同时预偏置电阻优化了偏置电路设计,降低了设计复杂度,提高了生产一致性。其最大集电极电流为100mA,适用于低功率场合,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),适应严苛环境。 综上,NSB1706DMW5T1是一款高度集成、可靠性强的预偏置BJT阵列,特别适用于空间受限、要求高集成度和稳定性能的消费、工业及车载电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SC70 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSB1706DMW5T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SC-70 |
| 其它名称 | NSB1706DMW5T1OS |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |