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  • 型号: NSB1706DMW5T1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSB1706DMW5T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSB1706DMW5T1价格参考。ON SemiconductorNSB1706DMW5T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSB1706DMW5T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSB1706DMW5T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSB1706DMW5T1 是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管阵列,内置电阻,采用双通道配置。该器件广泛应用于需要小型化、高可靠性和简化电路设计的场景。

典型应用场景包括:  
1. 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,用于LED驱动、信号切换或逻辑电平转换,因其集成内置电阻,可减少外围元件数量,节省PCB空间。  
2. 消费类电子产品:在家电控制板、遥控器、小型电源管理模块中,作为开关元件使用,实现高效、稳定的通断控制。  
3. 工业控制与通信设备:用于传感器信号调理、继电器驱动或低功率放大电路,提供可靠的信号放大与开关功能。  
4. 汽车电子:适用于车身电子系统,如车灯控制、按钮输入检测等非动力系统中的低电流开关应用,具备良好的温度稳定性和抗干扰能力。

NSB1706DMW5T1采用SOT-563封装,体积小,适合高密度贴装,同时预偏置电阻优化了偏置电路设计,降低了设计复杂度,提高了生产一致性。其最大集电极电流为100mA,适用于低功率场合,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),适应严苛环境。

综上,NSB1706DMW5T1是一款高度集成、可靠性强的预偏置BJT阵列,特别适用于空间受限、要求高集成度和稳定性能的消费、工业及车载电子应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SC70

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSB1706DMW5T1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,10V

供应商器件封装

SC-70

其它名称

NSB1706DMW5T1OS

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

频率-跃迁

-

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