Datasheet下载- 型号： NSVBC124EDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVBC124EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVBC124EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSVBC124EDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVBC124EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVBC124EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVBC124EDXV6T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置偏置电阻，采用SOT-563封装。该器件集成了两个NPN晶体管，每个均配有限流和基极偏置电阻，简化了电路设计，减少了外围元件数量。 主要应用场景包括： 1. 消费类电子产品：广泛用于手机、平板、智能家居设备中的信号切换与电平转换电路，因其小型化封装和高集成度，适合空间受限的设计。 2. 电源管理与开关控制：在DC-DC转换器、LED驱动、电池充电管理等电路中，作为开关元件使用，实现高效通断控制。 3. 工业与汽车电子：得益于其符合AEC-Q101汽车级认证，NSVBC124EDXV6T1G适用于车载信息娱乐系统、传感器接口、继电器驱动及车身控制模块，在高温、高可靠性要求环境下稳定工作。 4. 逻辑电平转换与缓冲：可用于微控制器与外围设备之间的信号接口，实现不同电压逻辑间的兼容与驱动增强。 5. 便携式设备：低功耗特性使其适合用于笔记本电脑、可穿戴设备等对能效敏感的应用中。 该器件具有高可靠性、良好的温度稳定性以及简化的PCB布局优势，是替代分立晶体管加电阻组合的理想选择，特别适用于追求小型化、高集成度和高可靠性的现代电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVBC124EDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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