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  • 型号: PUMB20,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB20,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB20,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB20,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB20,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMB20,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PUMB20,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内含两个独立的 NPN 晶体管,每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁ = 2.2 kΩ,R₂ = 47 kΩ),实现内置偏置,无需外部偏置电路。其主要应用场景包括:

- 数字逻辑电平转换与接口驱动:常用于微控制器(如ARM、PIC、ESP32)GPIO端口与5V/12V负载间的电平匹配与电流放大,驱动LED、小型继电器或光耦输入级。

- 开关控制电路:凭借低饱和电压(VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC = 10 mA)和快速开关特性(ton/toff 约数十纳秒),适用于中低频(≤10 MHz)开关应用,如电源使能控制、信号选通、状态指示等。

- 传感器信号调理前端:在工业传感或消费电子中,作为光电二极管、霍尔传感器等弱信号的简易有源缓冲或脉冲整形单元。

- 空间受限的嵌入式系统:采用SOT-363(SC-70-6)微型封装,节省PCB面积,广泛应用于可穿戴设备、IoT节点、智能电表及便携式终端。

该器件工作温度范围为−65°C 至 +150°C,具备ESD防护(HBM ≥ 2 kV),可靠性高,适合工业及汽车电子(非AEC-Q200认证版本需注意等级要求)。注意:PUMB20,115 为通用级器件,不适用于线性放大或高精度模拟应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMB20,115-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

PUMB20,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 20mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

934057888115
PUMB20 T/R
PUMB20 T/R-ND

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

2.2 kOhms

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 个 PNP 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

2.2k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PUMB20 T/R

频率-跃迁

-

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