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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB20,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB20,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB20,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB20,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMB20,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMB20,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内含两个独立的 NPN 晶体管,每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁ = 2.2 kΩ,R₂ = 47 kΩ),实现内置偏置,无需外部偏置电路。其主要应用场景包括: - 数字逻辑电平转换与接口驱动:常用于微控制器(如ARM、PIC、ESP32)GPIO端口与5V/12V负载间的电平匹配与电流放大,驱动LED、小型继电器或光耦输入级。 - 开关控制电路:凭借低饱和电压(VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC = 10 mA)和快速开关特性(ton/toff 约数十纳秒),适用于中低频(≤10 MHz)开关应用,如电源使能控制、信号选通、状态指示等。 - 传感器信号调理前端:在工业传感或消费电子中,作为光电二极管、霍尔传感器等弱信号的简易有源缓冲或脉冲整形单元。 - 空间受限的嵌入式系统:采用SOT-363(SC-70-6)微型封装,节省PCB面积,广泛应用于可穿戴设备、IoT节点、智能电表及便携式终端。 该器件工作温度范围为−65°C 至 +150°C,具备ESD防护(HBM ≥ 2 kV),可靠性高,适合工业及汽车电子(非AEC-Q200认证版本需注意等级要求)。注意:PUMB20,115 为通用级器件,不适用于线性放大或高精度模拟应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMB20,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMB20,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 20mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934057888115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMB20 T/R |
| 频率-跃迁 | - |