Datasheet下载- 型号： PUMH9,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH9,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH9,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMH9,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMH9,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMH9,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的型号为PUMH9,115的双极晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型，通常适用于以下场景： 1. 信号放大 - PUMH9,115可用于音频、射频或其他低功率信号的放大。其预偏置特性使得它在设计中更容易实现稳定的增益和线性性能。 - 应用实例：耳机驱动器、麦克风前置放大器、无线通信模块中的信号增强。 2. 开关电路 - 这种晶体管阵列可以作为电子开关使用，用于控制电路的通断状态。由于其小型化和集成化设计，适合需要多个独立开关的应用。 - 应用实例：LED驱动、继电器控制、逻辑电平转换。 3. 传感器接口 - 在传感器信号处理中，PUMH9,115可以用作信号调理元件，例如将微弱的模拟信号放大到可被后续电路处理的水平。 - 应用实例：温度传感器、压力传感器、光电二极管信号放大。 4. 电源管理 - 该器件可以参与简单的电源管理功能，如电压调节或电流限制。其预偏置特性有助于简化电路设计并提高效率。 - 应用实例：电池充电保护电路、低压差稳压器（LDO）辅助电路。 5. 消费电子与家电 - 在小型消费电子产品（如遥控器、玩具、智能家居设备）中，PUMH9,115能够提供可靠的性能，同时保持低成本和高集成度。 - 应用实例：红外发射器驱动、电机速度控制。 6. 工业控制 - 工业领域中，这类晶体管阵列常用于信号隔离、脉冲生成或驱动外部负载。 - 应用实例：PLC输入/输出模块、步进电机驱动。 总结 PUMH9,115凭借其预偏置特性和紧凑的设计，非常适合需要多路独立控制或放大的应用场景。它的典型应用包括信号放大、开关控制、传感器接口、电源管理和各类消费电子及工业控制设备中。选择具体应用场景时，需根据实际需求评估其电气参数（如最大电流、电压和频率）是否满足要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH9,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMH9,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6554-1 |
| 典型电阻器比率 | 0.213 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMH9 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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