Datasheet下载- 型号： PUMH9,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH9,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH9,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMH9,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMH9,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMH9,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMH9,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个 NPN 晶体管，每个均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=2.2kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如 ARM、PIC、ESP32）GPIO 引脚驱动 LED、小型继电器或光耦输入端，简化电路设计并提升响应速度。 2. LED 驱动电路：适用于多路低电流 LED（如状态指示灯、背光控制），预偏置结构确保稳定导通，降低MCU负载并提高抗干扰能力。 3. 信号开关与多路复用控制：在消费电子（如电视遥控接收模块、智能家电面板）、工业HMI中，用作低功耗、高可靠性的信号通断开关。 4. 替代传统分立偏置BJT方案：节省PCB面积与BOM成本，提升装配良率，广泛应用于空间受限的便携设备（如TWS耳机充电仓、可穿戴设备）。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）封装，支持-55°C至+150°C工作温度，具备ESD防护（HBM > 2 kV），符合AEC-Q100（Grade 1）汽车级可靠性要求，亦适用于车规级车身控制模块（如门锁、灯光控制）中的辅助开关功能。注意：不适用于大电流（Ic > 100mA）或高频放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH9,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMH9,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6554-1 |
| 典型电阻器比率 | 0.213 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMH9 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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