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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5111DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5111DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5111DW1T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5111DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5111DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MUN5111DW1T1G是一款双极性晶体管(BJT)阵列,属于预偏置类型。这种器件主要应用于需要高精度、低功耗和小尺寸解决方案的电路中。以下是其典型应用场景: 1. 信号调节与放大: MUN5111DW1T1G适用于音频、传感器信号或弱电信号的放大和调节。预偏置设计使其能够稳定工作在特定的线性区域,从而实现高质量的信号处理。 2. 模拟电路设计: 在混合信号系统中,该器件可用于构建运算放大器、比较器或其他复杂的模拟电路模块,支持精准的电流或电压控制。 3. 电源管理: 由于其低静态电流特性,MUN5111DW1T1G适合用于便携式设备中的电源管理单元(PMU),例如电池供电的消费电子产品。 4. 接口电路: 在数据通信或外围设备接口中,此晶体管阵列可以作为驱动器或缓冲器,增强信号强度并减少干扰。 5. 自动化与控制: 工业自动化领域中,它可用于构建精确的电流源或负载开关,服务于机器人、PLC(可编程逻辑控制器)等设备。 6. 测试与测量仪器: 高精度要求的测试设备可能使用该器件来生成稳定的参考信号或进行动态范围扩展。 总之,MUN5111DW1T1G凭借其紧凑封装、优异的电气性能以及预偏置优势,在众多电子应用中展现出卓越的可靠性和灵活性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5111DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5111DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MUN5111DW1T1GOSDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 at 5 mA at 10 V |
| 系列 | MUN5111DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |