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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EMF5T2R由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMF5T2R价格参考。ROHM SemiconductorEMF5T2R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载EMF5T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EMF5T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为EMF5T2R的晶体管由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产,属于双极型晶体管(BJT)中的预偏置阵列类型。该器件通常集成了多个晶体管及偏置电阻,适用于需要稳定偏置和高集成度的电路设计。 EMF5T2R主要应用于以下场景: 1. 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,因其体积小、功耗低,适合用于信号切换、电平转换或驱动小型负载。 2. 逻辑电路与开关电路:该器件可作为逻辑控制电路中的开关元件,用于数字信号的处理与传输,实现电路的导通与截止控制。 3. 传感器接口电路:在传感器信号调理电路中,用于放大、开关或电平匹配,提高电路集成度和稳定性。 4. LED驱动与显示控制:可用于LED背光或指示灯的驱动控制,简化外围电路设计。 5. 通信设备:如无线模块、网络设备中的信号处理单元,用于增强信号完整性或实现电平转换。 该晶体管采用小型封装(如EMF5T2R常见的TUMT5封装),节省PCB空间,适合高密度布局。其预偏置设计可减少外部元件数量,提高电路可靠性并降低设计复杂度。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN EMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL PNP/NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor EMF5T2R- |
数据手册 | |
产品型号 | EMF5T2R |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V / 270 @ 10mA,2V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | EMT6 |
其它名称 | EMF5T2RCT |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 47 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | EMT-6 |
峰值直流集电极电流 | 500 mA |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式,1 PNP |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V,12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA,500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 12 V |
集电极连续电流 | - 500 mA |
频率-跃迁 | 250MHz,260MHz |