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Datasheet下载- 型号： RN2506(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2506(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2506(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2506(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2506(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2506(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN2506(TE85L,F)、品牌为 Toshiba Semiconductor and Storage 的晶体管属于 双极型晶体管（BJT）阵列 - 预偏置类型，其应用场景主要包括以下几类： 1. 逻辑电平转换：该器件常用于不同电压逻辑系统之间的信号转换，如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号，以实现不同系统间的兼容性。 2. 接口电路：在数字电路与外围设备之间作为接口使用，增强信号驱动能力，提高系统稳定性和响应速度。 3. 开关控制电路：适用于需要高速开关操作的场合，如LED驱动、继电器控制和小型马达控制等。 4. 便携设备中的电源管理：因其集成预偏置电阻，可简化电路设计，减少外部元件数量，适合用于手机、数码相机、笔记本电脑等便携式电子产品中的电源开关与负载控制。 5. 信号放大与处理：在低频模拟信号放大或数字信号缓冲中也可使用。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于消费类电子、工业控制及通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP SMV |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2505 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN2506(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | SMV |
| 其它名称 | RN2506(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 晶体管类型 | 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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