Datasheet下载- 型号： CSD16301Q2
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16301Q2由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16301Q2价格参考。Texas InstrumentsCSD16301Q2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD16301Q2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16301Q2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16301Q2是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道MOSFET，属于低电压、小尺寸功率MOSFET产品系列。该器件采用1.5mm × 1.5mm SON-6封装，具有极低的导通电阻（RDS(on)典型值为3.7mΩ @ VGS=4.5V），适用于高效率、空间受限的电源管理应用。 其主要应用场景包括： 1. 同步整流：在DC-DC转换器中作为高效同步整流开关，提升转换效率，降低功耗； 2. 负载开关：用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源路径管理，实现对负载的快速开启与关断，减少待机损耗； 3. 电池供电系统：广泛应用于电池管理系统（BMS）、移动电源和充电电路中，提供低导通损耗和高可靠性； 4. 热插拔电路：在需要防止电流冲击的接口电源控制中，起到缓冲和保护作用； 5. 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流电机或LED背光驱动中的开关控制，因其快速开关特性和低损耗表现优异。 CSD16301Q2凭借其小封装、低导通电阻和高开关速度，特别适合对空间和能效要求严苛的消费类电子产品和便携式设备。同时，其良好的热性能也支持在密集布局的PCB上稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 6-SONMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16301Q2NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16301Q2 |
| Pd-PowerDissipation | 2.3 W |
| Pd-功率耗散 | 2.3 W |
| Qg-GateCharge | 2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
| 上升时间 | 4.4 ns |
| 下降时间 | 1.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.55V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 4A，8V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SON |
| 其它名称 | 296-25260-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 4.1 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16301Q2 |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | WSON-6 FET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 16.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
| 系列 | CSD16301Q2 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 配置 | Single |
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