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产品简介:
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STMicroelectronics的STD90NH02LT4是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能,适用于多种功率电子应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、同步整流器和开关电源(SMPS)中,以提高转换效率并减小系统体积。 2. 电机控制:适用于直流电机驱动器和无刷电机控制系统,提供高效、快速的开关性能。 3. 汽车电子:用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)及车身控制模块,满足汽车环境对可靠性和稳定性的高要求。 4. 工业自动化:在工业电机驱动、继电器替代和负载开关中广泛应用,提升系统效率与响应速度。 5. 消费电子:应用于笔记本电脑、平板电脑和高性能电源适配器中的功率开关元件。 该器件采用TO-220封装,便于散热和安装,适合高功率密度设计。其低栅极电荷和导通损耗,使其在高频开关应用中表现优异,有助于提高系统能效并减少发热。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 24V 60A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STD90NH02LT4 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | STripFET™ II |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2850pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 95W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 24V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |