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  • 型号: FDMA410NZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMA410NZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA410NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA410NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA410NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 20V 9.5A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)。您可以下载FDMA410NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA410NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FDMA410NZ是一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)和同步整流电路中,因其低导通电阻(RDS(on))可减少能量损耗,提高电源效率。

2. 负载开关与电源开关:适用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电池供电管理,作为负载开关控制电源通断,实现节能与系统保护。

3. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中,作为开关元件,控制电机启停和方向切换,适用于家电、电动工具等消费类电子产品。

4. LED驱动:用于LED照明系统的开关控制,支持PWM调光功能,实现高效、稳定的亮度调节。

5. 热插拔电路:在服务器、通信设备中用于防止带电插拔时的电流冲击,保护系统电路。

FDMA410NZ采用先进的沟槽技术,具备高输入阻抗、快速开关响应和良好的热稳定性,封装小巧(如PowerDI506),适合高密度PCB布局,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFETMOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA410NZPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMA410NZ

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.4 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

23 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

上升时间

3.9 ns

下降时间

3.7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1080pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

23 毫欧 @ 9.5A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-MicroFET(2x2)

其它名称

FDMA410NZCT

典型关闭延迟时间

27 ns

功率-最大值

900mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

30 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MicroFET

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.5A (Ta)

系列

FDMA410NZ

配置

Single Quad Drain

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