Datasheet下载- 型号： PSMN8R5-100ESQ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN8R5-100ESQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN8R5-100ESQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN8R5-100ESQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN8R5-100ESQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN8R5-100ESQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN8R5-100ESQ 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效率和低导通损耗的电力电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源适配器，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少能量损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动：在工业控制、电动工具和家用电器的电机驱动电路中，该器件能有效控制电机启停与转速，具备良好的热稳定性和负载切换能力。 3. 汽车电子：用于车载电源系统、LED 照明驱动和电池管理系统（BMS），符合 AEC-Q101 标准，适合严苛的汽车工作环境。 4. 照明系统：在高亮度 LED 驱动电路中作为开关元件，支持精准调光与高效供电。 5. 消费电子：应用于笔记本电脑、显示器和充电设备中的电源模块，提供紧凑、高效的解决方案。 PSMN8R5-100ESQ 具有 100V 耐压、低栅极电荷和优异的热性能，采用 LFPAK 封装，便于散热并支持自动化生产，适合对空间和能效要求较高的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 100A I2PAKMOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/RAILH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN8R5-100ESQ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN8R5-100ESQ |
| Pd-PowerDissipation | 263 W |
| Pd-功率耗散 | 263 W |
| Qg-GateCharge | 111 nC |
| Qg-栅极电荷 | 111 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 43 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5512pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 111nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-10161-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 87 ns |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 22.6 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tj） |
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