【未分类_PSMN8R5-100ESQ】封装/厂家_PSMN8R5-100ESQ中文资料_价格

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型号： PSMN8R5-100ESQ
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN8R5-100ESQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN8R5-100ESQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN8R5-100ESQ封装/规格：未分类，暂无。您可以下载PSMN8R5-100ESQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN8R5-100ESQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN8R5-100ESQ 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 8.5 mΩ @ Vgs=10V，10.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=60A）及优异的开关性能与热稳定性。

其典型应用场景包括：  
✅ DC-DC 电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流 Buck/Boost 转换器，提升效率并降低温升；  
✅ 电机驱动控制：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机、步进电机驱动模块中的H桥功率开关，支持高频PWM调速；  
✅ 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、工控主板中用作高效、低损耗的板级电源通断控制（如USB供电开关、模块上电时序管理）；  
✅ LED 驱动与照明电源：用于恒流驱动电路或调光控制中的主开关器件，兼顾效率与EMI性能；  
✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101认证（注：需确认具体批次是否为车规版），可用于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗电机、LED车灯驱动等非安全关键应用。

该器件支持逻辑电平驱动（4.5V即可充分导通），兼容微控制器直接驱动，简化外围电路设计；LFPAK56 封装具备优异的功率密度与散热性能，适合紧凑型高可靠性设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N CH 100V 100A I2PAKMOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/RAILH
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN8R5-100ESQ-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PSMN8R5-100ESQ
Pd-PowerDissipation	263 W
Pd-功率耗散	263 W
Qg-GateCharge	111 nC
Qg-栅极电荷	111 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	22.6 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	22.6 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4 V
上升时间	35 ns
下降时间	43 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5512pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	111nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	8.5 毫欧 @ 25A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	I2PAK
其它名称	568-10161-5 934067378127 PSMN8R5100ESQ
典型关闭延迟时间	87 ns
功率-最大值	263W
包装	管件
商标	NXP Semiconductors
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	22.6 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
封装/箱体	I2PAK-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	100 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Tj）