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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRLS3036-7PPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLS3036-7PPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLS3036-7PPBF价格参考￥24.07-￥24.07。International RectifierIRLS3036-7PPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLS3036-7PPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLS3036-7PPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号IRLS3036-7PPBF是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，因其低导通电阻和高效率特性，有助于提高能源利用率。 2. 电机控制：适用于工业自动化设备中的电机驱动电路，提供快速开关响应和良好热稳定性。 3. 电池供电设备：如便携式电子产品、电动工具和无人机等，适合对功耗敏感的应用场景。 4. 汽车电子系统：可用于车载充电系统、车身控制模块等环境，具备较强的抗干扰能力。 5. 负载开关与继电器替代方案：在高频率切换应用中，可作为固态开关使用，提升系统寿命和稳定性。 该MOSFET采用PG-TDSON封装，适合表面贴装工艺，便于集成于紧凑型电路设计中。整体而言，IRLS3036-7PPBF适用于多种中高功率电子系统，尤其注重效率与空间优化的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 240A D2PAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 1.9mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 300 A |
| Id-连续漏极电流 | 300 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLS3036-7PPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLS3036-7PPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 380 W |
| Pd-功率耗散 | 380 W |
| Qg-GateCharge | 110 nC |
| Qg-栅极电荷 | 110 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11270pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.9 毫欧 @ 180A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK（7-Lead） |
| 功率-最大值 | 380W |
| 功率耗散 | 380 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.2 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 110 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 300 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 240A （Tc） |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
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