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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFC26N50P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFC26N50P价格参考。IXYSIXFC26N50P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFC26N50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFC26N50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFC26N50P是一款单N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高耐压、大电流能力,适用于多种功率电子设备。该器件的典型应用场景包括: 1. 电源转换器:用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块中,作为开关元件,实现高效的能量转换。 2. 电机驱动:在直流电机、步进电机或无刷电机控制电路中作为功率开关,广泛应用于工业自动化、机器人和电动车等领域。 3. 逆变器系统:用于UPS不间断电源、太阳能逆变器和变频器中,实现直流电到交流电的高效转换。 4. 充电设备:适用于电池充电器、电动车充电桩等设备中的功率控制部分。 5. 工业控制系统:用于PLC、伺服驱动器、工业电源等设备中,提供快速开关和高可靠性。 IXFC26N50P具备较高的击穿电压(500V)和额定电流能力(26A),适合中高功率应用,且具备良好的热稳定性和耐用性,是工业和电力电子设计中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220MOSFET 500V 26A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFC26N50PPolarHV™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFC26N50P |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 130 W |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 260 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 260 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 260 毫欧 @ 13A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS220™ |
| 典型关闭延迟时间 | 58 ns |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.600 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 260 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | ISOPLUS220™ |
| 封装/箱体 | ISOPLUS 220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 28 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |