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Datasheet下载- 型号： RN2906FE(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2906FE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2906FE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2906FE(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2906FE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2906FE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN2906FE(TE85L,F)、品牌为 Toshiba Semiconductor and Storage 的晶体管，属于 双极型晶体管（BJT）阵列 - 预偏置类型，常用于需要高稳定性和集成度的电路设计中。该器件内部通常集成了多个预偏置晶体管单元，适用于以下几种典型应用场景： 1. 逻辑电平转换与接口电路：在数字电路与模拟电路之间进行信号转换时，该晶体管可有效提升响应速度和稳定性。 2. 电源管理与开关控制：因其具备良好的导通特性和快速响应能力，适用于DC-DC转换器、负载开关及继电器驱动等场景。 3. 工业自动化控制系统：如PLC模块、传感器信号调理电路中，用于信号放大或隔离控制。 4. 消费类电子产品：包括智能手机、平板电脑中的小型马达驱动、LED背光控制等低功耗应用场合。 5. 汽车电子系统：如车身控制模块（BCM）、照明系统等对可靠性要求较高的环境中。 该器件采用小型封装（如SOP），适合高密度PCB布局，且具备良好的热稳定性和抗干扰能力，是中低功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2906FE |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN2906FE(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 其它名称 | RN2906FE(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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