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  • 型号: DMMT5551-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMMT5551-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMMT5551-7-F价格参考。Diodes Inc.DMMT5551-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMMT5551-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMMT5551-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DMMT5551-7-F是Diodes公司生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列器件,主要应用于需要中功率放大和开关控制的电路中。该器件采用SOT-23封装,具有体积小、性能稳定的特点,适合在多种电子设备中使用。

其主要应用场景包括:

1. 放大电路:DMMT5551-7-F可作为中频放大器中的增益元件,适用于音频、射频信号放大电路。

2. 开关电路:由于其良好的开关特性和较高的集电极电流容量,常用于电源管理、LED驱动、继电器控制等开关应用中。

3. 逻辑电平转换:在数字电路中用于不同电压域之间的信号转换和隔离。

4. 电机驱动与继电器控制:适用于小型电机、电磁阀、继电器线圈的驱动电路,作为功率开关使用。

5. 消费类电子产品:如手机、平板、智能穿戴设备中的电源控制与信号处理电路。

6. 工业自动化:在PLC、传感器接口、工业控制模块中作为放大与开关元件。

该晶体管为NPN型,具有较高的β值(电流增益),适用于需要较高放大倍数的模拟或数字电路设计。其封装形式适合表面贴装工艺,便于自动化生产。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL NPN 160V 200MA SOT26两极晶体管 - BJT MATCHED NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DMMT5551-7-F-

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产品型号

DMMT5551-7-F

PCN其它

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PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-26

其它名称

DMMT5551-FDIDKR

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6

封装/箱体

SOT-26

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)配对

最大功率耗散

300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

160V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

系列

DMMT5551

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

160 V

集电极—基极电压VCBO

180 V

频率-跃迁

300MHz

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