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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMMT5551-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMMT5551-7-F价格参考。Diodes Inc.DMMT5551-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMMT5551-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMMT5551-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMMT5551-7-F是Diodes公司生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列器件,主要应用于需要中功率放大和开关控制的电路中。该器件采用SOT-23封装,具有体积小、性能稳定的特点,适合在多种电子设备中使用。 其主要应用场景包括: 1. 放大电路:DMMT5551-7-F可作为中频放大器中的增益元件,适用于音频、射频信号放大电路。 2. 开关电路:由于其良好的开关特性和较高的集电极电流容量,常用于电源管理、LED驱动、继电器控制等开关应用中。 3. 逻辑电平转换:在数字电路中用于不同电压域之间的信号转换和隔离。 4. 电机驱动与继电器控制:适用于小型电机、电磁阀、继电器线圈的驱动电路,作为功率开关使用。 5. 消费类电子产品:如手机、平板、智能穿戴设备中的电源控制与信号处理电路。 6. 工业自动化:在PLC、传感器接口、工业控制模块中作为放大与开关元件。 该晶体管为NPN型,具有较高的β值(电流增益),适用于需要较高放大倍数的模拟或数字电路设计。其封装形式适合表面贴装工艺,便于自动化生产。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL NPN 160V 200MA SOT26两极晶体管 - BJT MATCHED NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DMMT5551-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | DMMT5551-7-F |
PCN其它 | |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-26 |
其它名称 | DMMT5551-FDIDKR |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
封装/箱体 | SOT-26 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双)配对 |
最大功率耗散 | 300 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
系列 | DMMT5551 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
集电极—基极电压VCBO | 180 V |
频率-跃迁 | 300MHz |