Datasheet下载- 型号： MMDT4124-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT4124-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT4124-7-F价格参考。Diodes Inc.MMDT4124-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDT4124-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT4124-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT4124-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列，它包含多个 NPN 和 PNP 类型的双极性晶体管。该型号的应用场景主要集中在需要多路信号放大、切换和控制的电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大：MMDT4124-7-F 可用于音频设备中的小信号放大，例如麦克风前置放大器或耳机放大器。其内置的 BJT 阵列可以同时处理多个通道的信号放大任务。 2. 开关电路：在数字电路中，该器件可以用作开关元件，用于控制 LED 显示屏、继电器或其他负载的通断。其多通道特性适合需要并行控制的应用。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，MMDT4124-7-F 可以提供必要的电流放大功能，以确保电机能够获得足够的驱动能力。 4. 传感器信号调理：在工业自动化和物联网领域，该器件可用于对传感器输出的微弱信号进行放大和处理，以便后续电路能够更准确地识别和分析。 5. 电源管理：在一些简单的线性稳压器或电流源设计中，MMDT4124-7-F 可以用作关键的电流调节元件，帮助实现稳定的电源输出。 6. 通信设备：在低频通信电路中，该器件可用于调制解调器、收发器等设备中的信号处理部分。 由于 MMDT4124-7-F 的封装形式紧凑且集成了多个晶体管单元，因此非常适合需要节省空间和减少元件数量的设计场合。此外，其良好的一致性和可靠性也使其成为消费电子、工业控制和汽车电子等领域中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 25V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT 25V 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT4124-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT4124-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 2mA，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT4124-FDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 360 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 系列 | MMDT4124 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
| 集电极连续电流 | 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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