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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZHB6790TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZHB6790TA价格参考。Diodes Inc.ZHB6790TA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZHB6790TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZHB6790TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZHB6790TA是一款双极性晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要多个晶体管集成控制的电路设计中。该器件内含多个独立的BJT晶体管,通常为NPN或PNP结构,适用于需要多路信号切换或放大的应用场合。 ZHB6790TA广泛应用于以下场景: 1. 电源管理电路:用于负载开关、电源分配系统中,实现对多个电源路径的高效控制。 2. 工业控制系统:如PLC(可编程逻辑控制器)、继电器驱动电路、传感器信号调理电路等,利用其多晶体管集成特性简化电路设计并提高可靠性。 3. 通信设备:在通信模块中作为信号放大器或开关元件,用于处理低频或中频信号。 4. 消费类电子产品:如电视、音响、智能家电等设备中,用于音频放大、LED驱动或按键控制等电路。 5. 汽车电子:用于车载控制系统、照明驱动、电机控制等,满足汽车电子对稳定性和集成度的要求。 ZHB6790TA具备良好的热稳定性和电流驱动能力,适合高密度PCB布局,有助于减少元件数量,提高系统集成度与可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS QUAD NPN/PNP 40V 2A SOT223两极晶体管 - BJT H-Bridge-40V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZHB6790TA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZHB6790TA |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 750mV @ 50mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 1A,2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | ZHB6790TR |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 1.25W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 100 MHz, 150 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-223-8 |
封装/箱体 | SM-8 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥) |
最大功率耗散 | 2000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 500 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 500 at 100 mA at 2 V at NPN, 400 at 1 A at 2 V at NPN, 150 at 2 A at 2 V at NPN, 300 at 100 mA at 2 V at PNP, 200 at 1 A at 2 V at PNP, 150 at 2 A at 2 V at PNP |
配置 | Quad |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.75 V |
频率-跃迁 | 100MHz |