Datasheet下载- 型号： PEMZ1,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMZ1,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMZ1,115价格参考￥0.48-￥2.41。NXP SemiconductorsPEMZ1,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMZ1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMZ1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMZ1,115 是 NXP USA Inc.（恩智浦）推出的双极性晶体管（BJT）阵列，属于 SOT-363（SC-70-6）封装的双NPN通用小信号晶体管对。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（MCU）I/O口扩展、GPIO缓冲或驱动LED、小型继电器、蜂鸣器等低功率负载，利用其高电流增益（hFE 200–450）和低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1V @ IC = 10mA），提升开关效率。 2. 信号切换与多路复用：集成双晶体管结构便于构建简易双通道开关电路，适用于传感器信号选择、模拟多路开关前级控制或电源使能管理。 3. 基础放大与信号调理：在便携式设备（如可穿戴设备、IoT节点）中用于麦克风前置放大、传感器信号预放大等低功耗、小信号场景。 4. 替代传统分立器件方案：节省PCB面积与贴装成本，适用于空间受限的消费电子、工业控制板卡及通信模块。 该器件工作电压≤60V，最大集电极电流100mA，支持-65°C至+150°C宽温范围，具备良好ESD防护（HBM > 2kV），适合高可靠性要求的工业与汽车电子辅助电路（非安全关键系统）。注意：不适用于大功率、高频（>100MHz）或高压主电源路径应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V 100MA SOT666两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PEMZ1,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMZ1,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056705115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 200 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 120 at 1 mA at 6 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 零件号别名 | PEMZ1 T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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