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  • 型号: PEMZ1,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PEMZ1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMZ1,115价格参考¥0.48-¥2.41。NXP SemiconductorsPEMZ1,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMZ1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMZ1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的型号 PEMZ1,115 是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要多个晶体管集成封装的电路设计中。该器件具有多个 NPN 或 PNP 晶体管单元,适合用于需要高集成度和空间节省的应用场景。

主要应用场景包括:

1. 逻辑电平转换与接口电路:由于其良好的开关特性,PEMZ1,115 常用于不同电压域之间的信号转换,适用于数字电路与模拟电路之间的接口控制。

2. LED 驱动电路:在需要多个 LED 独立控制或恒流驱动的场合,该晶体管阵列可简化电路设计,提高系统稳定性。

3. 继电器或负载开关控制:用于控制小功率继电器、电机或加热元件的开关操作,适用于工业自动化和家电控制模块。

4. 放大电路:适用于低频信号的前置放大或缓冲放大,尤其在传感器信号调理电路中应用广泛。

5. 嵌入式系统与消费电子:如智能家电、穿戴设备、通信模块等对空间和功耗有要求的场合,PEMZ1,115 提供紧凑可靠的晶体管解决方案。

该器件采用小型封装,具有良好的热稳定性和可靠性,适合表面贴装工艺,广泛应用于中低功率电子系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN/PNP 40V 100MA SOT666两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PEMZ1,115-

数据手册

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产品型号

PEMZ1,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 1mA,6V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

934056705115
PEMZ1 T/R
PEMZ1 T/R-ND

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-666

工厂包装数量

4000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

NPN,PNP

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

200 mA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

120 at 1 mA at 6 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

120

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极连续电流

100 mA

零件号别名

PEMZ1 T/R

频率-跃迁

100MHz

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