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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMZ1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMZ1,115价格参考¥0.48-¥2.41。NXP SemiconductorsPEMZ1,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMZ1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMZ1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的型号 PEMZ1,115 是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要多个晶体管集成封装的电路设计中。该器件具有多个 NPN 或 PNP 晶体管单元,适合用于需要高集成度和空间节省的应用场景。 主要应用场景包括: 1. 逻辑电平转换与接口电路:由于其良好的开关特性,PEMZ1,115 常用于不同电压域之间的信号转换,适用于数字电路与模拟电路之间的接口控制。 2. LED 驱动电路:在需要多个 LED 独立控制或恒流驱动的场合,该晶体管阵列可简化电路设计,提高系统稳定性。 3. 继电器或负载开关控制:用于控制小功率继电器、电机或加热元件的开关操作,适用于工业自动化和家电控制模块。 4. 放大电路:适用于低频信号的前置放大或缓冲放大,尤其在传感器信号调理电路中应用广泛。 5. 嵌入式系统与消费电子:如智能家电、穿戴设备、通信模块等对空间和功耗有要求的场合,PEMZ1,115 提供紧凑可靠的晶体管解决方案。 该器件采用小型封装,具有良好的热稳定性和可靠性,适合表面贴装工艺,广泛应用于中低功率电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN/PNP 40V 100MA SOT666两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PEMZ1,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PEMZ1,115 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-666 |
其它名称 | 934056705115 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-666 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 200 mA |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 120 at 1 mA at 6 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
零件号别名 | PEMZ1 T/R |
频率-跃迁 | 100MHz |