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产品简介:
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MBT3906DW1T2G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列器件,属于PNP型晶体管阵列。该器件在一个封装中集成了多个晶体管,通常用于需要多个晶体管协同工作的电路设计中,以减少PCB面积并提高集成度。 应用场景包括: 1. 逻辑电平转换电路:适用于不同电压域之间的信号转换,如将5V系统信号转换为3.3V系统可识别信号。 2. 驱动电路:用于LED、继电器、小型电机等负载的驱动,尤其是在需要多个独立控制通道时。 3. 放大电路:在低频、低功率模拟信号放大中作为前置放大器使用。 4. 数字开关应用:作为数字电路中的开关元件,用于控制通断状态。 5. 传感器接口电路:用于传感器信号的调理与放大,特别是在多通道传感器系统中。 6. 通信设备:在通信模块中用于信号处理、接口控制等。 7. 工业控制:在PLC、工业自动化设备中用于控制和逻辑处理部分。 该器件具有良好的稳定性和可靠性,适用于消费类电子、工业控制、通信设备等多种领域。其SMD封装形式(如TSSOP)适合自动化贴片生产,适用于批量制造。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 40V 200MA SC88 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MBT3906DW1T2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 250MHz |