Datasheet下载- 型号： HN1C01FYTE85LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HN1C01FYTE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN1C01FYTE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN1C01FYTE85LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HN1C01FYTE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HN1C01FYTE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的HN1C01FYTE85LF是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列产品，其应用场景主要包括以下方面： 1. 信号放大：该型号的BJT阵列适合用于需要高精度和低噪声信号放大的场合，例如音频设备中的前置放大器或传感器信号的初步放大。 2. 开关电路：HN1C01FYTE85LF可以应用于各种开关电路中，如继电器驱动、LED驱动或小型电机控制。其双极晶体管特性使其在切换速度和电流承载能力之间达到良好平衡。 3. 电源管理：在电源管理模块中，这款器件可以用作线性稳压器的调整元件，或者作为保护电路的一部分，实现过流保护、短路保护等功能。 4. 通信设备：在通信系统中，此型号可用于调制解调电路、混频器以及振荡器等关键部分，提供稳定的性能表现。 5. 消费电子：广泛应用于电视、音响、游戏机等消费电子产品内部的控制单元和接口电路中，负责处理多种复杂任务。 6. 工业自动化：适用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服控制系统及机器人技术领域内的数据采集与处理环节。 7. 汽车电子：可用于车载娱乐系统、仪表盘显示以及发动机管理系统中的信号处理和功率转换等方面。 总之，HN1C01FYTE85LF凭借其优异的电气特性和可靠性，在众多需要高性能双极型晶体管的应用场景中发挥着重要作用。具体应用时需根据实际需求选择合适的外围电路设计以充分发挥其潜力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 50V 150MA SM6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HN1C01FYTE85LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 2mA，6V |
| 供应商器件封装 | SM6 |
| 其它名称 | HN1C01FYTE85LFDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 80MHz |
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