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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMP5201V,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMP5201V,115价格参考。NXP SemiconductorsPMP5201V,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMP5201V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMP5201V,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMP5201V,115 是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要多个晶体管集成封装的电路设计中。该器件具有多个BJT晶体管单元,通常为NPN或PNP类型,适合高密度、小型化电路设计。 其典型应用场景包括: 1. 逻辑电平转换与接口电路:在数字电路中用于不同电压域之间的信号转换,例如将低电压MCU信号转换为较高电压控制信号。 2. 驱动电路:用于驱动LED、继电器、小型电机或其他负载,特别是在需要多个独立驱动通道的设计中。 3. 放大电路:适用于低频信号放大,如音频前置放大或传感器信号调理电路。 4. 开关电路:在电源管理、DC-DC转换器或负载开关中作为开关元件使用。 5. 嵌入式系统与工业控制:广泛应用于工业自动化、消费电子、汽车电子等领域中的控制与信号处理模块。 该器件采用小型封装,具备良好的热稳定性和可靠性,适合表面贴装工艺,适用于自动化生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 45V 100MA SOT666两极晶体管 - BJT MATCHED PAIR TRANS |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMP5201V,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMP5201V,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7432-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SS-Mini |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双)配对 |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | PMP5201V T/R |
| 频率-跃迁 | 175MHz |