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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMP5201V,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMP5201V,115价格参考。NXP SemiconductorsPMP5201V,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMP5201V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMP5201V,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMP5201V,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极性晶体管(BJT)阵列,采用 SOT-666 封装,内含两个独立的 NPN 晶体管(共发射极配置),具有匹配特性、低饱和电压(VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC = 10 mA)和高直流电流增益(hFE 典型值 250–600),适用于低功耗、高可靠性的小信号开关与放大场景。 典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备中的逻辑电平转换与驱动(如 MCU GPIO 扩展驱动 LED、小型继电器或蜂鸣器); 2. 电源管理电路——作为负载开关或使能控制管,用于 LDO 或 DC-DC 转换器的使能/关断路径; 3. 工业与消费类传感器接口电路——对霍尔传感器、光电开关等微弱模拟/数字信号进行缓冲、整形或电平适配; 4. LED 背光或多路指示灯驱动——利用双通道结构实现紧凑的双路独立控制; 5. 电池供电设备中的低功耗唤醒/复位电路——凭借低待机电流(ICEO < 100 nA)和快速开关特性,满足节能设计需求。 该器件不适用于大功率放大或高频射频应用(fT 约 100 MHz,属中低频范畴),但其小尺寸、匹配性及 AEC-Q200 兼容性(部分批次)也使其在汽车电子(如车身控制模块中的非安全相关信号调理)中具备一定适用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 45V 100MA SOT666两极晶体管 - BJT MATCHED PAIR TRANS |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMP5201V,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMP5201V,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7432-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SS-Mini |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双)配对 |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | PMP5201V T/R |
| 频率-跃迁 | 175MHz |