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PMP4501Y,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMP4501Y,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMP4501Y,115价格参考。NXP SemiconductorsPMP4501Y,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN(双)配对 45V 100mA 250MHz 300mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载PMP4501Y,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMP4501Y,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的型号为 PMP4501Y,115 的晶体管属于 双极型晶体管(BJT)阵列,主要应用于需要高集成度和稳定性能的电子电路中。 该器件内部集成了多个BJT晶体管,通常用于模拟和数字电路中的开关与放大功能。其典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:如DC-DC转换器、负载开关等,利用其高开关速度和低导通压降提高效率。 2. 电机驱动和继电器驱动电路:用于控制小功率电机或继电器,提供可靠的开关控制。 3. 工业自动化控制系统:在PLC、传感器接口等电路中作为信号放大或隔离元件。 4. 音频放大电路:作为前置放大器或驱动级使用,提供良好的线性放大性能。 5. 汽车电子系统:如车身控制模块、照明控制系统等,得益于其高可靠性和小型封装,适合空间受限的应用。 该器件采用小型SMD封装(如TSSOP),适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于中低功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS DUAL NPN 45V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT MATCHED PAIR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMP4501Y,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PMP4501Y,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
其它名称 | 568-6766-6 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 250 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双)配对 |
最大功率耗散 | 300 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
零件号别名 | PMP4501Y T/R |
频率-跃迁 | 250MHz |