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产品简介:
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PBSS4160PAN,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管(BJT)阵列,采用 SOT-1205(DFN2020-6)小型封装,内含两个独立的 NPN 晶体管,具有高增益(hFE 典型值 300@IC=50mA)、低饱和压降(VCE(sat) 低至 170mV@IC=50mA)和高开关速度等特性。其典型应用场景包括: 1. LED 驱动与背光控制:适用于中小尺寸 LCD 面板或指示灯的恒流/开关驱动,尤其适合空间受限的便携设备; 2. 电源管理电路:用作负载开关、DC-DC 转换器中的驱动级或使能控制,支持高效启停与电平转换; 3. 工业与消费类接口逻辑:在微控制器(如 ARM Cortex-M 系列)I/O 口驱动能力不足时,作为缓冲/电平位移/信号放大阵列,驱动继电器、蜂鸣器或光电耦合器; 4. 汽车电子辅助模块:符合 AEC-Q101 认证(注:需确认具体批次是否通过——该型号有车规版本 PBSS4160PANH,115),可用于车身控制单元(BCM)中的非安全关键负载开关(如车窗升降指示、氛围灯控制)。 其双通道集成设计节省 PCB 面积,降低 BOM 成本,适用于对可靠性、热性能及小型化有要求的中低功率(IC ≤ 600mA)开关与放大场景。不推荐用于大电流、高频射频或高压隔离场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 60V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 60V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4160PAN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4160PAN,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 120mV @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 150 @ 500mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON(2X2) |
| 其它名称 | 568-10199-1 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 430 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 290 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 90 mV |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 175MHz |