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型号： IMX8T108
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IMX8T108产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IMX8T108由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMX8T108价格参考。ROHM SemiconductorIMX8T108封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 50mA 140MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMX8T108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IMX8T108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS DUAL NPN 120V 50MA 6SMT两极晶体管 - BJT DUAL NPN 120V 50MA SOT-457
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体
品牌	ROHM Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor IMX8T108-
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产品型号	IMX8T108
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 1mA，10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	180 @ 2mA，6V
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SMT6
其它名称	IMX8T108CT
功率-最大值	300mW
包装	剪切带（CT）
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ROHM Semiconductor
增益带宽产品fT	140 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SC-74，SOT-457
封装/箱体	SC-74
工厂包装数量	3000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	2 NPN（双）
最大功率耗散	300 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.05 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	120V
电流-集电极(Ic)（最大值）	50mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	820
直流集电极/BaseGainhfeMin	180
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	120 V
集电极—基极电压VCBO	120 V
集电极连续电流	50 mA
频率-跃迁	140MHz