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详细数据请看参考数据手册
- 型号： DMMT5551S-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMMT5551S-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMMT5551S-7-F价格参考。Diodes Inc.DMMT5551S-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMMT5551S-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMMT5551S-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为DMMT5551S-7-F的晶体管，属于Diodes Incorporated品牌下的双极型晶体管（BJT）阵列产品。该器件主要应用于需要中等功率放大和开关功能的电路设计中。 其典型应用场景包括： 1. 模拟放大电路：适用于音频放大器、信号调理电路等，作为前置放大或驱动级使用； 2. 数字开关电路：用于电源管理、LED驱动、继电器控制等场景，实现高速开关功能； 3. 马达驱动与继电器控制：在小型电机或继电器的驱动电路中，提供足够的电流增益； 4. 传感器接口电路：在各类传感器信号放大与转换电路中用作增益调节元件； 5. 消费类电子产品：如电视、音响设备、家用电器中的电源控制与信号处理模块； 6. 工业自动化设备：用于PLC模块、自动控制系统中的信号放大与隔离控制。 该器件采用小外形封装（SOT-26），适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于广泛的工业与消费类应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 160V 200MA SOT26两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DMMT5551S-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMMT5551S-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-26 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双）配对 |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 160V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | DMMT5551S |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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