ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > MMDT5551-TP
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
MMDT5551-TP产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT5551-TP由MCC设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT5551-TP价格参考。MCCMMDT5551-TP封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载MMDT5551-TP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDT5551-TP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT5551-TP 是由 Micro Commercial Co. 生产的一款双极型晶体管(BJT)阵列,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 音频放大器 - MMDT5551-TP 可用于设计小型音频放大器电路,提供足够的增益以驱动扬声器或耳机。 - 它的低噪声特性使其适合于高质量音频信号处理。 2. 信号放大与处理 - 该器件可用于信号放大电路中,将微弱的输入信号放大到所需的强度。 - 常见于传感器信号调理、无线通信接收机等场景。 3. 开关电路 - 作为开关元件,MMDT5551-TP 可用于数字逻辑电路中的开关应用。 - 它能够快速切换状态,适用于脉冲宽度调制(PWM)控制或其他开关模式电源(SMPS)设计。 4. 电源管理 - 在低功耗设备中,MMDT5551-TP 可用作电流调节器或电压调节器的一部分。 - 它可以实现简单的线性稳压功能,为敏感负载提供稳定的电源。 5. 电机驱动 - 该晶体管阵列可用于驱动小型直流电机或步进电机。 - 通过配置合适的驱动电路,可以实现电机的速度和方向控制。 6. 振荡器与定时电路 - MMDT5551-TP 可用于构建多谐振荡器、单稳态触发器等定时电路。 - 这些电路在时钟生成、脉冲发生器等领域有广泛应用。 7. 射频(RF)应用 - 虽然不是专为高频设计,但 MMDT5551-TP 仍可用于一些低频射频电路中,如 AM/FM 收音机前端放大器。 8. 教育与实验 - 由于其结构简单且易于使用,MMDT5551-TP 常被用于教学实验和原型开发,帮助学生和工程师理解 BJT 的工作原理。 总之,MMDT5551-TP 凭借其高可靠性、紧凑封装和良好的电气性能,在消费电子、工业控制、通信设备以及教育领域均有广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS DUAL NPN 160V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT 200mA 160V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Micro Commercial Components (MCC) |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Micro Commercial Components (MCC) MMDT5551-TP- |
数据手册 | |
产品型号 | MMDT5551-TP |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24932 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | MMDT5551-TPCT |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | Micro Commercial Components (MCC) |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
系列 | MMDT55 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
集电极—基极电压VCBO | 180 V |
频率-跃迁 | 300MHz |