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Datasheet下载- 型号： PMBT3906VS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMBT3906VS,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT3906VS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT3906VS,115价格参考￥询价-￥询价。NXP SemiconductorsPMBT3906VS,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 360mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PMBT3906VS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBT3906VS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBT3906VS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极结型晶体管（BJT）阵列产品，属于 PNP 型小信号晶体管。该器件采用 SOT-23 封装，具有体积小、可靠性高、开关响应快等特点，适用于多种低功率模拟和数字电路场景。 其主要应用场景包括： 1. 信号放大电路：常用于音频信号或传感器微弱信号的放大，适合消费类电子产品如耳机放大器、麦克风前置放大等。 2. 开关控制：在便携式设备中作为小型继电器、LED 或其他负载的开关驱动元件，广泛应用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与状态切换。 3. 逻辑电平转换与接口电路：配合 NPN 晶体管或其他逻辑器件实现电平转换，适用于微控制器与外围设备之间的信号接口设计。 4. 电源管理模块：在电池供电系统中用于实现低功耗通断控制，提升能效。 5. 嵌入式系统与工业控制：因其稳定性和温度适应性好，也用于工业传感器模块、通信设备及小型自动化装置中的信号处理单元。 PMBT3906VS,115 具有良好的互换性和兼容性，适合高密度贴装的 PCB 设计，广泛应用于消费电子、汽车电子（非动力部分）、通信设备和物联网终端设备中。其“VS”后缀表示特定的性能分组，确保参数一致性，适用于对稳定性要求较高的批量生产场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 40V 200MA SOT666两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT3906VS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBT3906VS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-6490-1 |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 240 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 200 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 60 at 0.1 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极连续电流 | - 200 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
