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Datasheet下载- 型号： PMBT3906VS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMBT3906VS,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT3906VS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT3906VS,115价格参考￥询价-￥询价。NXP SemiconductorsPMBT3906VS,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 360mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PMBT3906VS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBT3906VS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBT3906VS,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管（BJT）阵列，内含两个独立的 PNP 型晶体管（共发射极配置），采用小型 SOT666 封装（尺寸仅 2.1 × 1.8 × 0.9 mm），具备低功耗、高可靠性与良好匹配特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备中的信号切换与逻辑电平转换：如智能手机、可穿戴设备中用于LED驱动控制、按键扫描或I²C总线缓冲； 2. 电源管理电路：作为负载开关或使能控制器件，配合LDO或DC-DC转换器实现多路电源时序管理； 3. 传感器接口电路：在低功耗传感节点（如温湿度、运动传感器模块）中用作信号放大、电平偏置或电流源/吸收单元； 4. 工业与消费类嵌入式系统：在MCU外围电路中实现GPIO扩展、继电器驱动（小电流型）、蜂鸣器驱动或光电耦合器输入级； 5. 冗余设计与匹配需求场景：因两晶体管集成于同一芯片，具有良好的电气参数一致性（如hFE、VBE），适用于差分对、镜像电流源等需匹配特性的模拟前端。 该器件最大集电极电流为−200 mA，VCEO=−40 V，fT≈250 MHz，支持−55°C至+150°C宽温工作，符合AEC-Q101车规标准（部分批次），亦广泛用于汽车电子（如车身控制模块）及工业自动化终端。其小尺寸与高集成度显著节省PCB面积，适合高密度贴装设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 40V 200MA SOT666两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT3906VS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBT3906VS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-6490-1 |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 240 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 200 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 60 at 0.1 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极连续电流 | - 200 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
