| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLUS3A18PZTAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLUS3A18PZTAG价格参考。ON SemiconductorNTLUS3A18PZTAG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTLUS3A18PZTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLUS3A18PZTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLUS3A18PZTAG 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源开关控制,具备低导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗,提高能效。 2. 负载开关:用于控制外部设备的电源供应,如USB外设、传感器模块等,实现快速开关控制,防止电流倒灌,保护主系统安全。 3. 电池供电系统:在电池管理系统(BMS)中作为高边开关使用,控制电池对负载的供电,适用于电动工具、无绳吸尘器、电动自行车等产品。 4. 工业控制:可用于工业自动化设备中的电机驱动、继电器替代、LED照明控制等场合,具备良好的热稳定性和可靠性。 该器件采用TDFN封装,体积小、便于PCB布局,适合高密度设计。其工作温度范围宽,适用于一般工业级应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFNMOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.1 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.1 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLUS3A18PZTAGµCool™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTLUS3A18PZTAG |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.7 W |
| Pd-功率耗散 | 1.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2240pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 7A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-UDFN (2x2) |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 功率耗散 | 1.7 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 90 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | UDFN-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 5.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.1A (Ta) |
| 系列 | NTLUS3A18PZ |
| 配置 | Single |