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  • 型号: PML260SN,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PML260SN,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PML260SN,118价格参考。NXP SemiconductorsPML260SN,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PML260SN,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PML260SN,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PML260SN,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款小信号 N 沟道增强型 MOSFET(逻辑电平驱动),采用 SOT-23 封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 140 mΩ @ VGS = 4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 1.5 nC)和快速开关特性。其额定电压为 20 V,连续漏极电流达 600 mA(Ta = 25°C),适合低压、中低功率应用。

典型应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备的电源管理:如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的 LED 驱动、背光控制或负载开关,利用其低功耗与逻辑电平兼容性(可直接由 1.8 V/3.3 V MCU GPIO 驱动)。  
✅ 电池供电系统的保护与切换:用于 USB 接口电源路径管理、电池充放电回路中的反向阻断或充电使能开关。  
✅ 信号切换与电平转换电路:在 I²C、GPIO 扩展等低速数字接口中作双向电平移位器或信号门控开关。  
✅ 小型电机/蜂鸣器驱动:驱动微型直流电机、振动马达或压电蜂鸣器,兼顾效率与尺寸限制。  

该器件强调高可靠性、小体积与成本效益,不适用于高功率、高压或高频(>1 MHz)开关场景。设计时需注意 PCB 散热及栅极防静电(ESD)防护。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSONMOSFET TAPE13 TRENCH 30V G3

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.8 A

Id-连续漏极电流

8.8 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PML260SN,118TrenchMOS™

数据手册

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产品型号

PML260SN,118

Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

294 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

294 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

11 ns

下降时间

7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

657pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

294 毫欧 @ 2.6A,10V

产品种类

MOSFETs - Arrays

供应商器件封装

8-DFN3333(3.3x3.3)

其它名称

568-9716-1

典型关闭延迟时间

19 ns

功率-最大值

50W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-VDFN 裸露焊盘

封装/箱体

HVSON-8

工厂包装数量

1400

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.8A (Tmb)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

/T3 PML260SN

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