Datasheet下载- 型号： 2DB1188R-13
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2DB1188R-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2DB1188R-13价格参考。Diodes Inc.2DB1188R-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2DB1188R-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2DB1188R-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2DB1188R-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管器件。该器件通常用于需要高频率和中等功率处理能力的电子电路中。 应用场景包括： 1. 射频（RF）放大器：该晶体管具有良好的高频特性，适用于射频信号放大，常见于通信设备、无线基站和广播系统中。 2. 开关电路：由于其快速开关特性和稳定的性能，2DB1188R-13 可用于各类数字或模拟开关应用，尤其适合对响应速度有要求的工业控制系统。 3. 功率放大器：在一些中功率音频或射频放大器设计中，该晶体管可作为输出级使用，提供较高的电流增益和稳定性。 4. 电源管理电路：如DC-DC转换器或稳压器中，作为控制或调节元件，协助实现高效的电能转换。 5. 汽车电子系统：因其可靠性和耐环境能力，也适用于汽车中的电机驱动、传感器接口及照明控制系统等场景。 该晶体管采用表面贴装封装（如SOT-23），便于自动化生产和节省PCB空间，适合现代电子产品小型化与高性能并重的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3两极晶体管 - BJT 1000W -32Vceo |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated 2DB1188R-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2DB1188R-13 |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 800mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 180 @ 500mA，3V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 2DB1188RDICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 32V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 系列 | 2DB1188 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 32 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 800 mV |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
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