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Datasheet下载- 型号： CSD23201W10
- 制造商： Texas Instruments
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CSD23201W10产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD23201W10由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD23201W10价格参考。Texas InstrumentsCSD23201W10封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 2.2A（Tc） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）。您可以下载CSD23201W10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD23201W10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 CSD23201W10 的 MOSFET 属于 Texas Instruments（德州仪器） 生产的 N 沟道 MOSFET，采用小型封装（如 6-DSBGA），具有低导通电阻和快速开关特性。该器件广泛应用于对空间和效率要求较高的场景。 主要应用场景包括： 1. 负载开关与电源管理 常用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的负载开关控制，实现高效电源分配与节能管理。 2. DC-DC 转换器 在同步整流降压或升压电路中作为高频开关元件，适用于小型 DC-DC 转换模块，提升转换效率并减小电路体积。 3. 马达驱动与继电器替代 用于低功率马达控制或固态继电器设计，利用其快速响应和低损耗特性提高系统可靠性。 4. 电池管理系统（BMS） 在电池充放电保护电路中作为开关器件，支持高精度电流控制与过载保护。 5. 工业自动化与传感器模块 适用于需要紧凑设计的工业控制系统或智能传感器，用于信号切换或功率调节。 该器件凭借其高集成度、低功耗与小型化优势，特别适合高密度 PCB 设计和便携式电子产品中的高效能需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGAMOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD23201W10NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD23201W10 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 1000 mW |
| Pd-功率耗散 | 1000 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 82 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 82 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 82 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DSBGA（1x1） |
| 其它名称 | 296-24258-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD23201W10 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，DSBGA |
| 封装/箱体 | DSBGA-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Tc） |
| 系列 | CSD23201W10 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
