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Datasheet下载- 型号： STL6N3LLH6
- 制造商： STMicroelectronics
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STL6N3LLH6产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL6N3LLH6由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL6N3LLH6价格参考。STMicroelectronicsSTL6N3LLH6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 2.4W（Tc） PowerFlat™（2x2）。您可以下载STL6N3LLH6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL6N3LLH6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的型号为STL6N3LLH6的MOSFET，属于N沟道增强型功率场效应晶体管（FET），广泛应用于需要高效、低功耗开关性能的电子设备中。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适合在紧凑空间内实现高效能功率管理。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、同步整流电路和电压调节模块（VRM），提升电源转换效率，降低能量损耗。 2. 电池供电设备：适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等，用于电池保护电路或负载开关，延长电池续航时间。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机控制电路中作为开关元件，实现精确控制与节能运行。 4. 消费类电子：用于LED驱动、充电器、USB电源开关等低电压、中等电流的开关应用。 5. 工业与物联网设备：在传感器模块、智能电表、无线通信模块等对尺寸和功耗敏感的应用中表现优异。 STL6N3LLH6采用超小型封装（如PowerFLAT 2x2），便于高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能。其耐压等级适中（通常VDS约30V），适合工作在低电压系统中，是追求高效率与小型化的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2MOSFET N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL6N3LLH6DeepGATE™， STripFET™ VI |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL6N3LLH6 |
| Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
| Pd-功率耗散 | 2.4 W |
| Qg-GateCharge | 3.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.6 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 11.2 ns |
| 下降时间 | 5.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 283pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™ （2x2） |
| 其它名称 | 497-13651-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF253495?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 9.4 ns |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 40 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | STL6N3LLH6 |
| 配置 | Single |
