Datasheet下载- 型号： ZVN2110GTC
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN2110GTC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN2110GTC价格参考。Diodes Inc.ZVN2110GTC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN2110GTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN2110GTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN2110GTC是Diodes公司生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于低电压、中等功率的开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电池充电电路和负载开关，用于高效控制电源通断。 2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，配合H桥结构实现方向控制。 3. LED照明控制：作为开关元件，用于LED调光或开关控制电路，尤其适用于PWM调光方式。 4. 工业自动化：用于PLC或传感器模块中的信号开关控制，具备较高的开关速度和可靠性。 5. 消费类电子产品：如智能家电、充电器、移动电源等设备中的功率开关元件。 该MOSFET采用SOT-223封装，散热性能良好，适合表面贴装，便于自动化生产。设计时需注意其最大工作电压和电流限制，确保在安全范围内使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZVN2110GTC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 75pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 500mA （Ta） |
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