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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NZT651由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NZT651价格参考。Fairchild SemiconductorNZT651封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NZT651参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NZT651 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NZT651 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极性晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件常用于需要高增益和良好开关性能的电路设计中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:NZT651可用于电压调节器、负载开关等电源相关应用,因其具备良好的导通特性和较高的电流容量。 2. 放大电路:由于其具有较高电流增益(hFE),适合用于音频放大器或信号放大电路中的前置级或驱动级。 3. 数字开关电路:在需要控制较大电流负载的场合,如继电器、LED显示屏或小型电机的驱动电路中,NZT651可作为高效开关元件使用。 4. 工业控制系统:常见于各类工业自动化设备中的传感器信号处理、执行机构控制等模块。 5. 消费类电子产品:如电视、音响设备、充电器等产品中,用于实现电源控制与信号处理功能。 总之,NZT651凭借其可靠的性能和广泛的工作范围,适用于多种通用及中功率电子系统设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN CR DVR 60V 4A SOT223两极晶体管 - BJT NPN Transistor Current Driver |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor NZT651- |
数据手册 | |
产品型号 | NZT651 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 200mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 2A,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223-4 |
其它名称 | NZT651-ND |
功率-最大值 | 1.2W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 188 mg |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 75 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 1.2 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 4 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 75 |
系列 | NZT651 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
集电极连续电流 | 4 A |
零件号别名 | NZT651_NL |
频率-跃迁 | 75MHz |