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  • 型号: PBSS5320D,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBSS5320D,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5320D,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5320D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5320D,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 20V 3A 100MHz 750mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载PBSS5320D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5320D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PBSS5320D,115 是一款双极结型晶体管(BJT),属于单晶体管配置。该器件主要用于需要高效、高可靠性的功率管理和开关应用。

PBSS5320D,115 的典型应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统,实现对电流的高效控制。
2. 马达驱动:在小型电机或继电器控制电路中作为开关元件使用。
3. LED照明:作为恒流源或开关用于LED驱动电路。
4. 汽车电子:适用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求高的场景。
5. 工业自动化:用于传感器信号放大、继电器驱动及PLC中的开关控制。
6. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和电源适配器中的电源开关与电池管理。

该晶体管采用SOT223封装,具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力(最大集电极电流可达2A),适合中功率应用。其低饱和电压(VCE_sat)有助于降低功耗,提高能效,是设计高效能、紧凑型电子设备的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 20V 3A LO-SAT 6TSOP两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5320D,115-

数据手册

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产品型号

PBSS5320D,115

PCN封装

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 300mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

150 @ 2A,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

568-7317-1

功率-最大值

750mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

TSOP

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

750 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

3 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

200 at 100 mA at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

200 at 100 mA at 2 V, 200 at 500 mA at 2 V, 200 at 1000 mA at 2 V, 150 at 2000 mA at 2 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

20 V

集电极—基极电压VCBO

20 V

零件号别名

PBSS5320D T/R

频率-跃迁

100MHz

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