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产品简介:
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2SB1122T-TD-E 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 类型。该型号主要应用于以下场景: 1. 开关电路:作为电子开关,用于控制其他器件的开启与关闭,例如继电器、LED 或小型电机等负载。 2. 信号放大:适用于音频或射频信号的低噪声放大器中,能够增强微弱输入信号的强度,满足后续处理需求。 3. 功率放大:在功率放大器设计中,可用来提升电流或电压水平,驱动扬声器或其他需要较大功率输出的设备。 4. 线性稳压器:配合稳压芯片或分立元件构建线性电源,调节输出电压以保持稳定供电。 5. 振荡器和定时电路:用作多谐振荡器的核心组件,生成周期性波形;或者参与定时功能实现延时控制。 6. 保护电路:用于过流保护、短路保护等功能模块中,通过快速响应异常状态来保障系统安全运行。 7. 传感器接口:将来自各种传感器的小幅度电信号转换成适合进一步处理的形式。 由于其良好的增益特性、工作频率范围以及耐压能力,2SB1122T-TD-E 在消费电子、工业自动化、通信设备等领域均有广泛的应用潜力。具体使用时需根据实际电路要求选择合适的偏置条件及外围元件搭配,确保晶体管处于最佳工作状态。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PNP BIPO 1A 50V SOT89-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SB1122T-TD-E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,2V |
供应商器件封装 | PCP |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-243AA |
晶体管类型 | PNP |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
频率-跃迁 | 150MHz |