Datasheet下载- 型号： 2SA2169-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA2169-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA2169-E价格参考。ON Semiconductor2SA2169-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SA2169-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA2169-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SA2169-E的晶体管属于ON Semiconductor品牌，分类为双极性晶体管（BJT）中的PNP型单管。该晶体管主要应用于需要低噪声、高增益和良好频率特性的模拟电路中。 其典型应用场景包括： 1. 音频放大电路：由于具备低噪声和高增益特性，2SA2169-E常用于前置音频放大器或高质量音频设备中，以提升信号的清晰度和保真度。 2. 高频放大器：该器件具有良好的频率响应，适用于射频（RF）和中间频率（IF）信号的放大，常见于通信设备和无线接收系统中。 3. 开关电路：作为双极型晶体管，它也可用于中低功率的开关控制应用，如驱动继电器、LED或小型电机等负载。 4. 模拟信号处理：在需要精确信号放大的场合，例如传感器信号调理电路中，2SA2169-E可用于放大微弱的模拟信号。 综上，2SA2169-E适用于对性能要求较高的模拟电子系统，尤其适合音频与射频相关的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 10A 50V TP两极晶体管 - BJT BIP PNP 10A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SA2169-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA2169-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 580mV @ 250mA，5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TP |
| 功率-最大值 | 950mW |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | TO-251 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 13 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | 2SA2169 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 290 mV |
| 集电极连续电流 | - 10 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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